SiC涂層石墨基座具有耐高溫、抗氧化、純度高、和耐酸堿鹽及有機試劑等特性，物理化學性能穩定。與高純度石墨相比較，高純石墨在400℃開始發生強烈氧化，即使溫度不高，長期應用也因氧化而掉粉末，會依附工件和臺面或污染使用環境，因此SiC涂層石墨基座作為一種新耗材在MOVCD設備、粉末燒結等工序上逐步代替了高純石墨基座。

德智新材生產的SiC涂層石墨基座等產品涂層是在高溫條件下，使特種氣體釋放出硅。硅和碳直接結合，從而將特定形狀石墨基體包裹起來，形成SiC保護層，所形成的SiC牢牢的涂覆在石墨基體上，賦予石墨基體特殊的性能，從而使石墨基座表面致密，無孔隙、耐高溫、抗溶蝕、抗氧化。

●     高溫抗氧化：抗氧化,溫度高達1600℃時抗氧化性能仍然非常好。

●     純度高：高溫氯化條件下化學氣相沉積方法制得的。

●     耐沖刷：硬度高、表面致密、顆粒細。

●     抗腐蝕性：耐酸、堿、鹽及有機試劑。

●     SiC表面層為β－SiC 屬面心立方。

●     晶格常數α0.434mm。

●     具有高純度和各相異性。

●     SiC涂層具有較高的熱導率 80W/m·k。

●     密度在 3.15－3.20g/cm3。

●     熱膨脹系數 4.8×10-6 ℃－1。

●     MOCVD設備中，GaN外延生長用的石墨基座涂層。

●     單晶硅外延生長用的石墨基座涂層，平板基座、圓形基座、立體基座。

●     單晶硅器件燒結爐用的石墨底盤涂層。

●     石墨加熱器上的表面涂層(平板加熱器、圓形加熱器、筒形加熱器等等)。

●     各種氧化物隧道窯中燒結用的石墨匣缽涂層。

●     粉末冶金連續燒結用的石墨基座涂層。